【芯朋宝典】反激变压器优化设计之一
攻城狮们在反激变压器设计时,需综合考虑电源电气指标、EMC&安规、可靠性等因素,控制技术的快速发展(如PSR控制、高频QR、ACF)使得传统变压器设计方法已穷于应对,Chipown技术团队根据多年实战经验,将为大家陆续专题分享《反激变压器优化设计》的系列心得,希望能助电源攻城狮们一臂之力!
变压器设计考量
AP法则
变压器匝比n和初级感量Lp
当Lp=Lbcm,芯片工作在BCM模式;
当Lp>Lbcm,芯片工作在CCM模式;
当Lp<Lbcm,芯片工作在DCM模式。
磁通密度
电流增量
最大原边电流
最大磁通密度
磁化曲线
电流密度
趋肤效应、临近效应
导体穿透深度@20℃
铜导体穿透深度@100℃
共模噪声
由于反激电源内部的高频干扰源电流方向不同,可通过优化设计变压器使干扰相互抵消:当共模平台电压向上则增加屏蔽圈数,向下则减少屏蔽圈数,直至共模平台电压控制在2V以内。
变压器寄生电容分析模型
共模噪音分析模型
共模噪音波形